金龙汽车(600686.CN)

携手金龙汽车 三安光电第三代半导体发力新能源汽车

时间:20-09-29 17:40    来源:中国证券网

上证报中国证券网讯(记者 李兴彩)9月29日,三安光电旗下三安集成与金龙汽车(600686)旗下金龙新能源在厦门签署了战略合作框架协议,确定双方利用各自优势资源,共同推进碳化硅功率器件在新能源客车电机控制器、辅驱控制器的样机试制以及批量应用。
  随着新能源汽车的发展,第三代半导体开始显山露水,变得炙手可热。以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,因其宽禁带特性,拥有硅(Si)器件无法比拟的电气性能。
  据介绍,在纯电动汽车的“功率交换器、车载充电器和电机控制器”中采用碳化硅功率器件,能有效减小散热系统体积、显著提高工作频率进而减小无源器件体积、提高功率密度,显著降低电机控制器的能耗。简言之,采用碳化硅器件,可令电动汽车实现电气系统轻量化、低损耗快速充电、承载更大功率和提供更长续航里程。
  在当前碳化硅功率器件成本仍相对较高背景下,三安集成采用开放的制造平台,携手产业链伙伴和新能源汽车客户,共同加速碳化硅功率器件的产业化。
  三安集成是三安光电的第三代半导体业务平台,其提供从晶体生长、衬底加工、外延生长、器件设计、芯片制造到器件封测,以及完善的失效分析能力的垂直整合,全面把控产品一致性和可靠性。目前,三安集成已经推出1200V/650V碳化硅肖特基二极管(MPS结构)以及650V氮化镓E-HEMT产品,并将于今年第四季度推出1200V碳化硅MOSFET产品。
  尤其是在新能源汽车领域,三安集成积极参与国家新能源汽车技术创新中心“中国车规半导体首批测试验证项目”。三安集成相关人士介绍,按照汽车行业测试标准,搭载三安集成碳化硅功率器件的纯电动汽车分别进行常温试验场、高温试验场、高寒试验场测试,在不同工况下均表现出优异性能和卓越可靠性。
  记者了解到,今年7月,三安集成宣布长沙碳化硅制造基地动工建设,该项目总投资160亿元,占地面积1000亩,是公司具有自主知识产权的衬底、外延、芯片及封装全产业链生产基地。项目全面建成后,三安集成的碳化硅功率器件产能将从目前的2.4万片/年提升至36万片/年。